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    CKSTH252008
    储能
    产品信息
    测试参数
    阻抗曲线
    插入损耗
    回波损耗
    L频率
    TL RMS
    饱和电流
    Scc21参数
    Ssd21参数
    共模抑制
    漏感频率
    Q值曲线
    产品用途
    产品参数
    样品申请
    系列
    型号
    PDF
    电感值
    (μH)
    电感/
    阻抗公差
    测试条件
    DCR
    (mΩ)MAX
    DCR
    (mΩ)TYP
    饱和电流
    TYP(A)
    温升电流
    TYP(A)
    用途
    状态
    工作温度
    (℃)

    (mm)

    (mm)

    (mm)
    封装
    屏蔽
    材质
    小一体成型电感
    CKSTH252008-0.47uH/M
    0.47
    ±20
    1MHz/1V
    24
    20
    6.7
    4.7
    消费品
    量产
    -40~125
    2.5
    2
    0.8
    SMD
    Y
    合金
    小一体成型电感
    CKSTH252008-1uH/M
    1
    ±20
    1MHz/1V
    40
    34
    4
    4
    消费品
    量产
    -40~125
    2.5
    2
    0.8
    SMD
    Y
    合金
    小一体成型电感
    CKSTH252008-2.2uH/M
    2.2
    ±20
    1MHz/1V
    74
    62
    2.4
    2.7
    消费品
    量产
    -40~125
    2.5
    2
    0.8
    SMD
    Y
    合金
    小一体成型电感
    CKSTH252008-4.7uH/M
    4.7
    ±20
    1MHz/1V
    180
    150
    2.3
    2
    消费品
    量产
    -40~125
    2.5
    2
    0.8
    SMD
    Y
    合金
    小一体成型电感
    CKSTH252008-10uH/M
    10
    ±20
    1MHz/1V
    575
    480
    1.6
    1.1
    消费品
    量产
    -40~125
    2.5
    2
    0.8
    SMD
    Y
    合金
    注释
    Remark: 1. All test data is reference to temperature 20±5℃, humidity 60%~80%RH ambient. 所有测试数据均参照20±5℃,60%~80%RH环境。
                  2. * Isat: DC current (A) that will cause L to drop approximately 30%. 饱和电流:导致L下降约30%的直流电流(A)。
                  3. * Irms: DC current (A) that will cause an approximate△T of 40℃. 温升电流:导致温度变化大约40℃的直流电流(A)。
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